深圳市琅玥科技有限公司

型号：IRFB7730PBF

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 75 V

Id-连续漏极电流: 195 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V

Qg-栅极电荷: 271 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: %2B 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

通道模式: Enhancement

商标名: StrongIRFET

封装: Tube

商标: Infineon / IR

配置: Single

下降时间: 115 ns

正向跨导 - 值: 249 S

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 120 ns

IRFB7730PBF

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 180 ns

典型接通延迟时间: 21 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IRFB7730PBF SP001556128 IRFB7730PBF

单位重量: 2 g

? 基于允许结温计算的连续电流。键合线电流限制为195A源键合技术。注意，设备引线加热引起的电流限制可能与以下情况有关：一些导线安装安排。 重复评级；脉冲宽度受结温限制。受T Jmax限制，启动T J=25?C，L=93μH，R G=50W, IAS=100A，VGS=10V。

ISD公司? 100A，di/dt? 1626A/μs，V DD? V（BR）DSS，TJ? 175?C。脉冲宽度? 400μs；占空比? 2%. C oss eff。（TR）是一个固定电容，当V DS从0%上升到80%V DSS时，它提供与C oss相同的充电时间。C oss eff。（ER）是一个固定电容，当V DS从0%上升到80%V DSS时，它提供与C oss相同的能量。Rq 在约90?C的温度下测量。受T Jmax限制，启动T J=25?C，L=1mH，R G=50W, IAS=42A，V GS=10V。 当安装在1“方形PCB（FR-4或G-10材料）上时。用于推荐的封装和焊接技术*源极键合技术将脉冲漏电流限制在780A

关于重复雪崩曲线的注释，图15、16：

有关更多信息

1、雪崩失效假设：纯热现象和故障发生在温度远远超过T jmax。这在每个零件类型。

2、只要asT jmax不存在，则允许在雪崩中安全运行超过。

3、以下等式基于图中所示的电路和波形23a，23b。

4.P D（ave）=每个雪崩脉冲的平均功耗。

5.BV=额定击穿电压（1.3系数表示电压雪崩期间增加）。

6.DT=结温的允许升高，不超过T jmax假设为25?C.