- 非IC关键词
企业档案
产品分类
产品信息
型号:IRFB7730PBF
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 195 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Qg-栅极电荷: 271 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 115 ns
正向跨导 - 值: 249 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 120 ns
IRFB7730PBF
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 180 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRFB7730PBF SP001556128 IRFB7730PBF
单位重量: 2 g
? 基于允许结温计算的连续电流。键合线电流限制为195A源键合技术。注意,设备引线加热引起的电流限制可能与以下情况有关:一些导线安装安排。 重复评级;脉冲宽度受结温限制。受T Jmax限制,启动T J=25?C,L=93μH,R G=50W, IAS=100A,VGS=10V。
ISD公司? 100A,di/dt? 1626A/μs,V DD? V(BR)DSS,TJ? 175?C。脉冲宽度? 400μs;占空比? 2%. C oss eff。(TR)是一个固定电容,当V DS从0%上升到80%V DSS时,它提供与C oss相同的充电时间。C oss eff。(ER)是一个固定电容,当V DS从0%上升到80%V DSS时,它提供与C oss相同的能量。Rq 在约90?C的温度下测量。受T Jmax限制,启动T J=25?C,L=1mH,R G=50W, IAS=42A,V GS=10V。 当安装在1“方形PCB(FR-4或G-10材料)上时。用于推荐的封装和焊接技术*源极键合技术将脉冲漏电流限制在780A
关于重复雪崩曲线的注释,图15、16:
有关更多信息
1、雪崩失效假设:纯热现象和故障发生在温度远远超过T jmax。这在每个零件类型。
2、只要asT jmax不存在,则允许在雪崩中安全运行超过。
3、以下等式基于图中所示的电路和波形23a,23b。
4.P D(ave)=每个雪崩脉冲的平均功耗。
5.BV=额定击穿电压(1.3系数表示电压雪崩期间增加)。
6.DT=结温的允许升高,不超过T jmax假设为25?C.
以下为公司仓库实景相片: